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STGD7NB60MT4中文資料意法半導體數據手冊PDF規(guī)格書

STGD7NB60MT4
廠商型號

STGD7NB60MT4

功能描述

N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / DPAK PowerMESH? IGBT

絲印標識

GD7NB60M

封裝外殼

DPAK

文件大小

529.36 Kbytes

頁面數量

11

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-5-4 20:00:00

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STGD7NB60MT4規(guī)格書詳情

n HIGH INPUT IMPEDANCE

n LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)

n OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

n LOW GATE CHARGE

n HIGH CURRENT CAPABILITY

n HIGH FREQUENCY OPERATION

n CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH?

ANTIPARALLEL DIODE

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a

patented strip layout, STMicroelectronics has designed

an advanced family of IGBTs, the Power-

MESH? IGBTs, with outstanding perfomances.

The suffix M identifies a family optimized to

achieve very low switching switching times for high

frequency applications (<20KHZ)

APPLICATIONS

n MOTOR CONTROLS

n SMPS AND PFC AND BOTH HARD SWITCH

AND RESONANT TOPOLOGIES

產品屬性

  • 型號:

    STGD7NB60MT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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