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STGDL6NC60DI 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGDL6NC60DI參考圖片

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原廠料號：STGDL6NC60DI品牌：ST

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STGDL6NC60DI是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝DPAK/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的STGDL6NC60DI晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    STGDL6NC60DI

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體集團

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    18 頁

  • 文件大?。?/span>

    645.32 kb

  • 資料說明：

    6 A, 600 V hyper fast IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGDL6NC60DIT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，3A

  • 開關(guān)能量：

    32μJ（開），24μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    6.7ns/46ns

  • 測試條件：

    390V，3A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 13A 50W DPAK

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機：

    13430590551

  • 詢價：
  • 電話：

    13430590551

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

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