STGIB30M60S-E_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 功率驅(qū)動器模塊-意法半導(dǎo)體

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原廠料號:STGIB30M60S-E品牌:STMicroelectronics

資料說明:PTD HIGH VOLTAGE

STGIB30M60S-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動器模塊。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝26-PowerDIP 模塊(1.146",29.10mm)的STGIB30M60S-E功率驅(qū)動器模塊功率驅(qū)動器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時提供電和熱觸點以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

  • 芯片型號:

    stgib30m60s-e

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體(ST)集團

  • 資料說明:

    PTD HIGH VOLTAGE

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    STGIB30M60S-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動器模塊

  • 系列:

    SLLIMM?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 類型:

    IGBT

  • 配置:

    三相反相器

  • 電壓 - 隔離:

    1500Vrms

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    26-PowerDIP 模塊(1.146",29.10mm)

  • 描述:

    PTD HIGH VOLTAGE

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