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STGIB30M60S-E_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 功率驅(qū)動(dòng)器模塊-意法半導(dǎo)體

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原廠料號：STGIB30M60S-E品牌：STMicroelectronics

資料說明：PTD HIGH VOLTAGE

STGIB30M60S-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝26-PowerDIP 模塊（1.146"，29.10mm）的STGIB30M60S-E功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件（通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET）提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上，后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度，并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

  • 芯片型號：

    stgib30m60s-e

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明：

    PTD HIGH VOLTAGE

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGIB30M60S-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 系列：

    SLLIMM?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 類型：

    IGBT

  • 配置：

    三相反相器

  • 電壓 - 隔離：

    1500Vrms

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    26-PowerDIP 模塊（1.146"，29.10mm）

  • 描述：

    PTD HIGH VOLTAGE

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