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STGP20H60DF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
STGP20H60DF |
| 參數(shù)屬性 | STGP20H60DF 封裝/外殼為T(mén)O-220-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 40A 167W TO220 |
| 功能描述 | 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
1.85887 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
22 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-15 15:58:00 |
STGP20H60DF規(guī)格書(shū)詳情
STGP20H60DF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGP20H60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
STGP20H60DF
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，20A
- 開(kāi)關(guān)能量：
209μJ（開(kāi)），261μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
42.5ns/177ns
- 測(cè)試條件：
400V，20A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
- 描述：
IGBT 600V 40A 167W TO220
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
TO-220 |
10000 |
原裝,品質(zhì)保證,請(qǐng)來(lái)電咨詢 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
22+ |
Si |
10000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤(pán) 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
4250 |
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詢價(jià) | ||
ST(意法) |
23+ |
TO220 |
7350 |
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詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ST |
TO-220 |
699839 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
Si |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) |
