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STGP20NB60H中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STGP20NB60H
廠商型號(hào)

STGP20NB60H

功能描述

N-CHANNEL 20A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT

文件大小

86.64 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 21:21:00

STGP20NB60H規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix ”H” identifies a family optimized to achieve very low switching times for high frequency applications (

■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)

■ LOW ON-VOLTAGE DROP (VCESAT)

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ VERY HIGH FREQUENCY OPERATION

■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

APPLICATIONS

■ HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS

■ WELDING EQUIPMENTS

■ SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCH AND RESONANT TOPOLOGIES

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STGP20NB60H

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 20 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
24+
65230
詢價(jià)
ST/意法
24+
TO220
58000
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ST(意法)
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