STGP3NB60KD 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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1+	面議

廠家型號：
STGP3NB60KD
產品分類：
芯片
生產廠商：
ST
庫存數量：
8000
產品封裝：
TO220AB
生產批號：
23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-25 15:00:00

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詳細信息
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原廠料號：STGP3NB60KD品牌：ST

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STGP3NB60KD是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產封裝TO220AB/TO-220-3的STGP3NB60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
STGP3NB60KD
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
內容頁數：
12 頁
文件大小：
326.24 kb
資料說明：
N-CHANNEL 6A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH TM IGBT

產品屬性

類型
描述
產品編號：
STGP3NB60KD
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
PowerMESH?
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，3A
開關能量：
30μJ（開），58μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
14ns/33ns
測試條件：
480V，3A，10 歐姆，15V
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應商器件封裝：
TO-220
描述：
IGBT 600V 10A 50W TO220

供應商

企業(yè)：
深圳市安富世紀電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
趙妍
手機：
18100277303
詢價：
電話：
0755-23991454
地址：
深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17E

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STGP3NB60KD

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