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STGP8M120DF3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGP8M120DF3
廠商型號(hào)

STGP8M120DF3

參數(shù)屬性

STGP8M120DF3 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

功能描述

Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

343.72 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-5 22:30:00

STGP8M120DF3規(guī)格書詳情

STGP8M120DF3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGP8M120DF3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? 10 μs of minimum short-circuit withstand time

? VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 8 A

? Tight parameter distribution

? Positive VCE(sat) temperature coefficient

? Low thermal resistance

? Soft and very fast recovery antiparallel diode

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

Description

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop

structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal

balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and

short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature

coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Applications

? Industrial drives

? UPS

? Solar

? Welding

? General-purpose inverters

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGP8M120DF3

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,8A

  • 開關(guān)能量:

    390μJ(開),370μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    20ns/126ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,8A,33 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
STM
2020+
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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