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STGPL6NC60D分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGPL6NC60D
廠商型號

STGPL6NC60D

參數屬性

STGPL6NC60D 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 14A 56W TO220

功能描述

N-channel 600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Hyper fast IGBT
IGBT 600V 14A 56W TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

491.3 Kbytes

頁面數量

19

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-10 8:48:00

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STGPL6NC60D規(guī)格書詳情

STGPL6NC60D屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGPL6NC60D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGPL6NC60D

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,3A

  • 開關能量:

    46.5μJ(開),23.5μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    6.7ns/46ns

  • 測試條件:

    390V,3A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 56W TO220

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