STGW25S120DF3 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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廠家型號：
STGW25S120DF3
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
生產廠商：
ST
庫存數(shù)量：
9000
產品封裝：
TO2473
生產批號：
22+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-28 10:30:00

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原廠料號：STGW25S120DF3品牌：ST

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STGW25S120DF3是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產封裝TO2473/TO-247-3的STGW25S120DF3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
STGW25S120DF3
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
內容頁數(shù)：
18 頁
文件大?。?/span>
703.28 kb
資料說明：
Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop

產品屬性

類型
描述
產品編號：
STGW25S120DF3
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，25A
開關能量：
830μJ（開），2.37mJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
31ns/147ns
測試條件：
600V，25A，15歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應商器件封裝：
TO-247-3
描述：
IGBT 1200V 25A TO247

供應商

企業(yè)：
深圳市河鋒鑫科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
楊佳河
手機：
13652326683
詢價：
電話：
13652326683
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

STGW25S120DF3 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGW25S120DF3

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