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STGW30NC60KD_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導(dǎo)體

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原廠料號：STGW30NC60KD品牌：STMicroelectronics

資料說明：IGBT 600V 60A 200W TO247

STGW30NC60KD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-247-3的STGW30NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    stgw30nc60kd

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明：

    IGBT 600V 60A 200W TO247

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGW30NC60KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    350μJ（開），435μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    29ns/120ns

  • 測試條件：

    480V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 200W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
STMicroelectronics
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
STM
15+
原廠原裝
64220
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
ST/意法
21+
TO247
9850
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-247-3
6001
原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票
 詢價(jià)
ST/意法
22+
TO247
6000
原裝正品
 詢價(jià)
STM
23+
TO-247-3
600
原裝現(xiàn)貨支持送檢
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
2023
TO-247-3
6000
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單
 詢價(jià)
ST
2024+
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70000
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ST
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