首頁>STGW35NB60S>詳情

STGW35NB60S 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGW35NB60S參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：STGW35NB60S品牌：ST/意法

公司只做原裝正品

STGW35NB60S是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO247/TO-247-3的STGW35NB60S晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    STGW35NB60S

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體集團

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    274.81 kb

  • 資料說明：

    N-channel 35A - 600V - TO-247 Low drop PowerMESH??IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGW35NB60S

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    840μJ（開），7.4mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    92ns/1.1μs

  • 測試條件：

    480V，20A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 70A 200W TO247

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市國宇半導體科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機：

    17704083728

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82578201

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場5107

相近型號