STGW35NB60SD 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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廠家型號：
STGW35NB60SD
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
生產廠商：
ST
庫存數(shù)量：
589220
產品封裝：
生產批號：
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-8 16:42:00

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詳細信息
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原廠料號：STGW35NB60SD品牌：ST

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STGW35NB60SD是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產封裝TO-247-3的STGW35NB60SD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
STGW35NB60SD
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
內容頁數(shù)：
13 頁
文件大?。?/span>
242.39 kb
資料說明：
N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESH TM IGBT

產品屬性

類型
描述
產品編號：
STGW35NB60SD
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
PowerMESH?
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，20A
開關能量：
840μJ（開），7.4mJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
92ns/1.1μs
測試條件：
480V，20A，100 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應商器件封裝：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 70A 200W TO247

供應商

企業(yè)：
深圳市匯萊威科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
司先生
手機：
18126328660
詢價：
電話：
0755-82785677
地址：
深圳市福田區(qū)華富路1046號華康大夏2棟503

STGW35NB60SD 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGW35NB60SD

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