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STGW39NC60VD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):STGW39NC60VD品牌:ST
進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨
STGW39NC60VD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO220/TO-247-3的STGW39NC60VD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
STGW39NC60VD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,30A
- 開(kāi)關(guān)能量:
333μJ(開(kāi)),537μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
33ns/178ns
- 測(cè)試條件:
390V,30A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 80A 250W TO247
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市賽能新源半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱樺
- 手機(jī):
13510673492
- 詢價(jià):
- 電話:
13510673492
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路華康大院2棟518
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