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首頁(yè)>STGW40H65DFB-4>芯片詳情
STGW40H65DFB-4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):STGW40H65DFB-4品牌:ST
全新原裝只做自己庫(kù)存只做原裝
STGW40H65DFB-4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO247/TO-247-4的STGW40H65DFB-4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
STGW40H65DFB-4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類(lèi)別:
- 系列:
HB
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,40A
- 開(kāi)關(guān)能量:
200μJ(開(kāi)),410μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
40ns/142ns
- 測(cè)試條件:
400V,40A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-4
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-4
- 描述:
IGBT
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市富芯拓展電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
顏冰穎
- 手機(jī):
13510159123
- 詢(xún)價(jià):
- 電話:
0755-88377616
- 地址:
深圳市福田區(qū)華富街道中航路新亞洲電子商城一期4C034房
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