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STGW50H60DF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

STGW50H60DF參考圖片

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原廠料號：STGW50H60DF品牌：ST

原裝現(xiàn)貨 假一賠百

STGW50H60DF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝原廠正品/TO-247-3的STGW50H60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    STGW50H60DF

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大小：

    1761.9 kb

  • 資料說明：

    50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGW50H60DF

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    890μJ（開），860μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    62ns/178ns

  • 測試條件：

    400V，50A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 100A 360W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市金芯陽科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    邱先生

  • 手機：

    18820474229

  • 詢價：
  • 電話：

    18820474229

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)橫崗街道華僑新村社區(qū)榮德時代廣場A2301

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