STGW50H60DF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

STGW50H60DF參考圖片

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原廠料號(hào):STGW50H60DF品牌:ST(意法)

正納10年以上分銷(xiāo)經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持

STGW50H60DF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST(意法)/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝NA/TO-247-3的STGW50H60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    STGW50H60DF

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    12 頁(yè)

  • 文件大小:

    1761.9 kb

  • 資料說(shuō)明:

    50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGW50H60DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,50A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    890μJ(開(kāi)),860μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    62ns/178ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,50A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 100A 360W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市正納電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    楊先生/楊小姐

  • 手機(jī):

    15986777949

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-23901175

  • 傳真:

    0755-83200684

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)振興路113號(hào)新欣大廈B座318