首頁(yè)>熱銷(xiāo)型號(hào)第148頁(yè)>STGW80H65DFB-4>詳情

STGW80H65DFB-4_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：STGW80H65DFB-4品牌：STMicroelectronics

資料說(shuō)明：IGBT BIPO 650V 80A TO247

STGW80H65DFB-4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-247-4的STGW80H65DFB-4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    stgw80h65dfb-4

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱(chēng)：

    意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT BIPO 650V 80A TO247

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGW80H65DFB-4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，80A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    2.1mJ（開(kāi)），1.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    84ns/280ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，80A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-4

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-4

  • 描述：

    IGBT BIPO 650V 80A TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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