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STGYA50M120DF3

Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT in a Max247 long leads package

Features ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?10μsofshort-circuitwithstandtime ?LowVCE(sat)=1.7V(typ.)@IC=50A ?Tightparameterdistribution ?PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient ?Lowthermalresistance ?Soft-andfast-recoveryantiparalleldiode Descript

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGYA50M120DF3

Package:TO-247-3;包裝:管件 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGYA50M120DF3

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,50A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    2mJ(開(kāi)),3.2mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    38ns/258ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,50A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    MAX247?

  • 描述:

    TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
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更多STGYA50M120DF3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-15 23:00:00