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首頁(yè)>STGYA75H120DF2>芯片詳情
STGYA75H120DF2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào):STGYA75H120DF2品牌:ST
只做正品
STGYA75H120DF2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-247-3的STGYA75H120DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
- 芯片型號(hào):
STGYA75H120DF2
- 規(guī)格書(shū):
- 企業(yè)簡(jiǎn)稱:
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情
- 廠商全稱:
STMicroelectronics
- 中文名稱:
意法半導(dǎo)體集團(tuán)
- 內(nèi)容頁(yè)數(shù):
15 頁(yè)
- 文件大?。?/span>
2192.89 kb
- 資料說(shuō)明:
Trench gate field-stop, 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long leads package
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
STGYA75H120DF2
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,75A
- 開(kāi)關(guān)能量:
4.3mJ(開(kāi)),3.9mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
61ns/366ns
- 測(cè)試條件:
600V,75A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247
- 描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP 1200 V, 7
供應(yīng)商
- 企業(yè):
上?;嗜A信息科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王小姐
- 手機(jī):
13917251561
- 詢價(jià):
- 電話:
021-34633375-8033
- 地址:
上海市閔行區(qū)宜山路2301弄九歌商務(wù)中心5號(hào)樓401室
相近型號(hào)
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