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STH80N10F7-2中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STH80N10F7-2
廠商型號(hào)

STH80N10F7-2

功能描述

Ultra low on-resistance

文件大小

1.36681 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

25 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:00:00

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STH80N10F7-2規(guī)格書詳情

Description

These devices utilize the 7th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

? Extremely low gate charge

? Ultra low on-resistance

? Low gate input resistance

Applications

? Switching applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法)
24+
NA/
8735
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST(意法半導(dǎo)體)
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