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STI26NM60N中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STI26NM60N
廠商型號

STI26NM60N
功能描述

N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages
文件大小

1.14259 Mbytes
頁面數(shù)量

23 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-15 18:12:00

STI26NM60N規(guī)格書詳情

Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET applies a new vertical structure to the company’s strip layout to yield a device with one of the world’s lowest on-resistance and gate charge, making it suitable for the most demanding high-efficiency converters.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    STI26NM60N

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    Mdmesh™ II

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
2405+
原廠封裝
50000
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83268999鄒小姐
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