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STI4N62K3中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STI4N62K3
廠商型號(hào)

STI4N62K3

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

282.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-22 17:35:00

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STI4N62K3規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

·Drain Current -ID=3.8A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS=620V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 2.0Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STI4N62K3

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    SuperMESH3™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
2223+
TO-262
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)
詢價(jià)
ST(意法)
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詢價(jià)
STMicroelectronics
24+
I2PAK
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-262-3
8860
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu)
詢價(jià)
ST
23+
NA
6800
原裝正品,力挺實(shí)單
詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
25+
原廠封裝
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ST/意法
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TO-262
20000
優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 實(shí)單必成 可開(kāi)增值稅13點(diǎn)
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ST(意法)
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-262-3
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