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STI4N62K3中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STI4N62K3
廠商型號

STI4N62K3
功能描述

N-channel 620 V, 1.7 廓 typ., 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET
文件大小

1.06158 Mbytes
頁面數(shù)量

19 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 20:00:00
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STI4N62K3規(guī)格書詳情

Description

These SuperMESH3? Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH? technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low onresistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Extremely high dv/dt capability

■ Gate charge minimized

■ Very low intrinsic capacitance

■ Improved diode reverse recovery characteristics

■ Zener-protected

Applications

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    STI4N62K3

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    SuperMESH3™

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法)
23+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!
 詢價
ST/意法半導體
2023+
TO-262-3
6000
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
ST/意法半導體
2023
TO-262-3
6000
公司原裝現(xiàn)貨/支持實單
 詢價
ST/意法半導體
23+
TO-262-3
12700
買原裝認準中賽美
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ST/意法
21+
TO-262
20000
優(yōu)勢供應 實單必成 可開增值稅13點
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ST/意法半導體
23+
TO-262-3
8860
原裝正品，支持實單
 詢價
ST/意法半導體
21+
TO-262-3
8860
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu)
 詢價
STMicroelectronics
24+
I2PAK
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
ST/意法
2223+
TO-262
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險
 詢價

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