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STI8N65M5

N-channel 650 V, 0.56 廓, 7 A MDmesh??V Power MOSFET

Description ThesedevicesareN-channelMDmesh?VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH?horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STI8N65M5

Marking：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ?DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=60mΩ(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Switchingappl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

8N65M5

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

STB8N65M5

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STB8N65M5

N-channel650V,0.56廓,7AMDmesh??VPowerMOSFET

Description ThesedevicesareN-channelMDmesh?VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH?horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STD8N65M5

aPhase-Dimmable,Primary-SideRegulatedLEDDriver

TI1Texas Instruments

德州儀器

STD8N65M5

N-channel650V,0.56廓,7AMDmesh??VPowerMOSFET

Description ThesedevicesareN-channelMDmesh?VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH?horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STD8N65M5

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STF8N65M5

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STF8N65M5

N-channel650V,0.56廓,7AMDmesh??VPowerMOSFET

Description ThesedevicesareN-channelMDmesh?VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH?horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowon-resistance,whichisunmatcheda

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數

  • 型號：

    STI8N65M5

  • 功能描述：

    MOSFET N-channel 650 V 0.56 Ohm, 7A MDmesh

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
23+
TO-262
8650
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3000
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TO-262
50000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
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ST
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現貨配單
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STMicroelectronics
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200000
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更多STI8N65M5供應商 更新時間2025-3-26 14:43:00

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