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STL10N60M2中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STL10N60M2
廠商型號(hào)

STL10N60M2

功能描述

N-channel 600 V, 0.580 廓 typ., 5.5 A MDmesh II Plus??low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 HV package

文件大小

1.02603 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-28 23:00:00

STL10N60M2規(guī)格書(shū)詳情

Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using a new generation of MDmesh?

technology: MDmesh II Plus? low Qg. This

revolutionary Power MOSFET associates a

vertical structure to the company's strip layout to

yield one of the world's lowest on-resistance and

gate charge. It is therefore suitable for the most

demanding high efficiency converters.

Features

? Extremely low gate charge

? Lower RDS(on) x area vs previous generation

? Low gate input resistance

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Applications

? Switching applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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