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STL11N60M2-EP_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個-意法半導(dǎo)體

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原廠料號：STL11N60M2-EP品牌：STMicroelectronics

資料說明：MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV

STL11N60M2-EP是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝8-PowerVDFN的STL11N60M2-EP晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號：

    stl11n60m2-ep

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團

  • 資料說明：

    MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STL11N60M2-EP

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    MDmesh? M2-EP

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    5.5A（Tc）

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PowerFlat?（5x6）HV

  • 封裝/外殼：

    8-PowerVDFN

  • 描述：

    MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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