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STL26NM60N中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STL26NM60N
廠商型號

STL26NM60N
功能描述

N-channel 600 V, 0.160 廓, 19 A PowerFLAT??8x8 HV ultra low gate charge MDmesh??II Power MOSFET
文件大小

697.79 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-22 8:10:00
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STL26NM60N規(guī)格書詳情

Description

This device is an N-channel MDmesh? V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Applications

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    STL26NM60N

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
25+
NA
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
ST
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