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STP10P6F6中文資料意法半導體數據手冊PDF規(guī)格書

STP10P6F6
廠商型號

STP10P6F6
功能描述

P-channel 60 V, 0.15 廓 typ., 10 A STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages
文件大小

490.86 Kbytes
頁面數量

15 頁
生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-11 8:08:00

STP10P6F6規(guī)格書詳情

Description

These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET? F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.

Features

? Very low on-resistance

? Very low gate charge

? High avalanche ruggedness

? Low gate drive power loss

Applications

? Switching applications

產品屬性

  • 型號：

    STP10P6F6

  • 功能描述：

    MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A pwr MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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