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STP120N10F4分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

STP120N10F4
廠商型號

STP120N10F4

參數屬性

STP120N10F4 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個;產品描述:MOSFET N-CH 100V TO-220

功能描述

N-channel 100 V, 8 m廓 typ., 120 A, STripFET??DeepGATE?? Power MOSFETs in D2PAK and TO-220 packages
MOSFET N-CH 100V TO-220

絲印標識

120N10F4

封裝外殼

TO-220 / TO-220-3

文件大小

949.58 Kbytes

頁面數量

18

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-13 13:48:00

STP120N10F4規(guī)格書詳情

STP120N10F4屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導體集團制造生產的STP120N10F4晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STP120N10F4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    120A(Tc)

  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 功率耗散(最大值):

    300W(Tc)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 100V TO-220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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