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STP12N65M2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

STP12N65M2
廠商型號

STP12N65M2

參數(shù)屬性

STP12N65M2 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER MOSFET

功能描述

N-channel 650 V, 0.42 typ., 8 A MDmeshTM M2 Power MOSFET in a TO-220 package
POWER MOSFET

文件大小

675.95 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-30 22:01:00

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STP12N65M2規(guī)格書詳情

STP12N65M2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STP12N65M2晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Extremely low gate charge

? Excellent output capacitance (COSS) profile

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using MDmesh? M2 technology.

Thanks to its strip layout and an improved vertical

structure, the device exhibits low on-resistance

and optimized switching characteristics,

rendering it suitable for the most demanding high

efficiency converters.

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STP12N65M2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 描述:

    POWER MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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