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STP12NM50N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
STP12NM50N |
| 功能描述 | N-channel 500V - 0.29廓 - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmesh??Power MOSFET |
| 文件大小 |
510.43 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
18 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-27 23:00:00 |
STP12NM50N規(guī)格書(shū)詳情
Description
This series of devices is realized with the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistancel
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
STP12NM50N
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 550 V 0.30 Ohm 12 A MDmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢(xún)價(jià) | ||
STM |
23+ |
TO-220 |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
2020+ |
TO220 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
TO220 |
699839 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢(xún)價(jià) | |||
ST全系列 |
22+23+ |
TO-220F |
26173 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤(pán) 更多數(shù)量 |
詢(xún)價(jià) | ||||
ST |
22+ |
TO-220 |
8600 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢(xún)價(jià) | |||
ST/意法 |
2105+ |
TO-220 |
10053 |
詢(xún)價(jià) | |||
ST |
24+ |
TO-220-3 |
573 |
詢(xún)價(jià) |
