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STP16NE06FP中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STP16NE06FP
廠商型號(hào)

STP16NE06FP

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET

文件大小

70.66 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-12 16:09:00

STP16NE06FP規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” process whereby a single body is implanted on a strip layout structure. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturingreproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.09 ?

■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ 175oC OPERATING TEMPERATURE

■ HIGH dV/dt CAPABILITY

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

APPLICATIONS

■ DC MOTOR CONTROL

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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