STP180N4F6 分立半導體產品晶體管 - FET,MOSFET - 單個 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STP180N4F6參考圖片

圖片僅供參考,請參閱產品規(guī)格書

訂購數量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:STP180N4F6品牌:ST

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

STP180N4F6是分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個。制造商ST/STMicroelectronics生產封裝TO-220/TO-220-3的STP180N4F6晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號:

    STP180N4F6

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導體集團

  • 內容頁數:

    13 頁

  • 文件大小:

    680.85 kb

  • 資料說明:

    N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET? F6 Power MOSFET in a TO-220 package

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    STP180N4F6

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    STripFET? F6

  • 包裝:

    管件

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術:

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    120A(Tc)

  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • 功率耗散(最大值):

    190W(Tc)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

供應商

  • 企業(yè):

    深圳市安富世紀電子有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    謝云

  • 手機:

    19924902278

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-83204142

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17e