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STP180N4F6分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

STP180N4F6
廠商型號(hào)

STP180N4F6
參數(shù)屬性

STP180N4F6 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
功能描述

N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET? F6 Power MOSFET in a TO-220 package
MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
絲印標(biāo)識(shí)

180N4F6
封裝外殼

TO-220 / TO-220-3
文件大小

680.85 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-27 16:09:00

STP180N4F6規(guī)格書詳情

STP180N4F6屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STP180N4F6晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

Features

? Very low on-resistance

? Very low gate charge

? High avalanche ruggedness

? Low gate drive power loss

Applications

? Switching applications

? Power tools

Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using the STripFET? F6 technology

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

packages.

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STP180N4F6

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    STripFET? F6

  • 包裝：

    管件

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    120A（Tc）

  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：

    4.5V，10V

  • 功率耗散（最大值）：

    190W（Tc）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 描述：

    MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
TO-220
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