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STP180N55F3_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT一線半導(dǎo)體3部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
STP180N55F3
- 功能描述:
MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
云小姐/廖小姐
- 手機(jī):
19168775913
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-88608801
- 傳真:
0755-88608801
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A
相近型號(hào)
- STP180N10F3
- STP180NS04ZCP180ZC
- STP-18-08-M2
- STP180NS04ZC-S
- STP-18-08-M1-C-1.2
- STP-18-08-M1
- STP1806P1806
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- STP-18-06-M1-C-1.2
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- STP-18-06-M1
- STP-18-10-M1-C-1.2
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- STP-18-10-M2-WPC
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- STP-18-04-M1-C-1.2
- STP-18-15-M1
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- STP-18-15-M1-C-1.2
- STP-180
- STP-18-15-M2
- STP17NK90ZFP
- STP-18-19-M1
- STP17NK80ZFP
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- STP17NK60ZFP
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- STP-18-28-M2
- STP-18-34-M1
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- STP-18-42-M2
- STP17NK40ZFP
- STP185N10F3
- STP17NK40Z,P17NK40Z
- STP185N10F3,185N10F3
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