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STP19N06L中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STP19N06L
廠商型號(hào)

STP19N06L

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

文件大小

142.45 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-18 20:00:00

STP19N06L規(guī)格書詳情

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

■ TYPICAL RDS(on) = 0.085 ?

■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C

■ LOW GATE CHARGE

■ LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT

■ 175 °C OPERATING TEMPERATURE

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ REGULATORS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION, ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STP19N06L

  • 功能描述:

    MOSFET REORD 511-STP20NE06L TO-220 N-CH 60V 19A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
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