STP3NB80中文資料SUNTAC數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
STP3NB80 |
| 功能描述 | POWER MOSFET |
| 文件大小 |
163.18 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Suntac Electronic Corp. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
SUNTAC |
| 中文名稱 | Suntac Electronic Corp. |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 23:00:00 |
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STP3NB80規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications such as power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits.
FEATURES
◆ Higher Current Rating
◆ Lower Rds(on)
◆ Lower Capacitances
◆ Lower Total Gate Charge
◆ Tighter VSD Specifications
◆ Avalanche Energy Specified
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
STP3NB80
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 800 Volt 3 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3305 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
8795 |
詢價(jià) | |||
VBSEMI/微碧半導(dǎo)體 |
24+ |
TO220F |
7800 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,低價(jià)出售,實(shí)單可談 |
詢價(jià) | ||
ST/進(jìn)口原 |
17+ |
TO-220F |
6200 |
詢價(jià) | |||
ST |
24+ |
N/A |
1180 |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
165 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
ST |
2447 |
NA |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
16800 |
全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價(jià) |
