首頁>STP4NB80>規(guī)格書詳情

STP4NB80中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STP4NB80
廠商型號

STP4NB80

功能描述

N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET

文件大小

354.69 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-8 22:30:00

STP4NB80規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage MESH OVERLAY process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.

■ TYPICAL RDS(on) = 3 ?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STP4NB80

  • 功能描述:

    MOSFET RO 512-FQP4N80 3/05

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
2020+
TO-220
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
詢價
ST/意法
23+
NA/
16449
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
詢價
ST
20+
TO-220F
38560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
ST
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
ST
TO-220
93480
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價
ST
2016+
DIP
6528
只做原廠原裝現(xiàn)貨!終端客戶個別型號可以免費送樣品!
詢價
ST(意法)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
詢價
ST
23+
TO-220
10000
專做原裝正品,假一罰百!
詢價
ST
22+
TO2203
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
ST/意法
22+
N
28000
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十
詢價