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STP5NB60中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STP5NB60
廠商型號

STP5NB60

功能描述

N - CHANNEL 600V - 1.8ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET

文件大小

108.1 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 22:58:00

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STP5NB60規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage MESH OVERLAY? process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.

■ TYPICAL RDS(on) = 1.8 ?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STP5NB60

  • 功能描述:

    MOSFET RO 511-STP4NK60Z

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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