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STP9N65M2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STP9N65M2

Extremely low gate charge

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STD9N65M2

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STD9N65M2

Extremelylowgatecharge

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STF9N65M2

Extremelylowgatecharge

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STFU9N65M2

N-channel650V,0.79typ.,5AMDmeshM2PowerMOSFETinaTO-220FPultranarrowleadspackage

Features ?Extremelylowgatecharge ?Excellentoutputcapacitance(COSS)profile ?100avalanchetested ?Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2 technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedevice

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STU9N65M2

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STU9N65M2

Extremelylowgatecharge

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/意法半導體
22+
TO-220-3
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原裝正品現貨 可開增值稅發(fā)票
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ST
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ST系列在售,可接長單
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ST(意法半導體)
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7828
支持大陸交貨,美金交易。原裝現貨庫存。
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STM
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ST/意法半導體
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更多STP9N65M2供應商 更新時間2024-12-24 8:30:00