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STQ1HN60K3-AP中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STQ1HN60K3-AP
廠商型號

STQ1HN60K3-AP

功能描述

Gate charge minimized

文件大小

1.18691 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-3 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STQ1HN60K3-AP

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600V 6.4 Ohm 1.2A SuperMESH3 FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    600 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    30 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    0.4 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    6.7 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    TO-92

  • 封裝:

    Ammo

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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