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STR2P3LLH6

Marking:2K3L;Package:SOT-23;Very low on-resistance

Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET?H6technology, withanewtrenchgatestructure.Theresulting PowerMOSFETexhibitsverylowRDS(on)inall packages. Features ?Verylowon-resistance ?Verylowgatecharge ?Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STR2P3LLH6

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GeneralDescription Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge andoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchor inPWMapplications. STR2P3LLH6 Features VDS-30V ID(atVGS=-10V)-5.0A RDS(ON)

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法
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更多STR2P3LLH6供應(yīng)商 更新時間2025-1-18 15:14:00