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STRH12P10GYT	文件：421.82 Kbytes Page：15 Pages	Rad-Hard 100 V, 12 A, P-channel Power MOSFET Features ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Hermeticpackage ?100kradTID ?SEEradiationhardened Description TheSTRH12P10isaP-channelPowerMOSFETabletooperateundersevere environmentconditionsandradiationexposure. Itprovideshighreliabilityperformanceandimmu	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
12P10	文件：270.22 Kbytes Page：6 Pages	9.4A,100VP-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
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12P10	文件：1.89938 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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A12P10SS	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 濱特爾濱特爾集團(tuán)	PENTAIR
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CEB12P10	文件：893.13 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-11A,RDS(ON)=315mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEP12P10	文件：893.13 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-11A,RDS(ON)=315mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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更多STRH12P10GYT供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-28 16:16:00

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