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STS19N3LLH6

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STS19N3LLH6

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

STD19N3LLH6AG

Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STL19N3LLH6AG

Automotive-gradeN-channel30V,23mΩtyp.,10A,STripFETTMH6PowerMOSFETinaPowerFLAT5x6package

Features ?AEC-Q101qualified ?Verylowon-resistance ?Verylowgatecharge ?Highavalancheruggedness ?Lowgatedrivepowerloss ?Logiclevel ?Wettableflankpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingtheSTripFET?H6 technologywithanewtrenc

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    STS19N3LLH6

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch Mosfet 12V-40V Power Mosfet SO 08

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STS19N3LLH6供應商 更新時間2025-3-29 14:23:00

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