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STS3P6F6

Low gate drive power losses

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STS3P6F6

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

STN3P6F6

P-channel60V,0.13廓typ.,3ASTripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFETinaSOT-223package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    STS3P6F6

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch 60V 0.13 Ohm 3A STripFET VI

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    P-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    60 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.13 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SO-8

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
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STMicroelectronics
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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更多STS3P6F6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-5 8:26:00