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STS5DP3LLH6中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STS5DP3LLH6
廠商型號

STS5DP3LLH6

功能描述

Dual P-channel -30 V, 48 mΩ typ., -5 A, STripFET? H6 Power MOSFET in an SO-8 package

絲印標識

5KK3L

封裝外殼

SO-8

文件大小

711.13 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-19 9:38:00

STS5DP3LLH6規(guī)格書詳情

Features

? Very low on-resistance

? Very low gate charge

? High avalanche ruggedness

? Low gate drive power loss

Applications

? Switching applications

Description

This device is a P-channel Power MOSFET

developed using the STripFET? H6 technology

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

packages.

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