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STW11NK100Z中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STW11NK100Z
廠商型號(hào)

STW11NK100Z
功能描述

N-Channel Power MOSFET
文件大小

348.17 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC【無(wú)錫固電】

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-28 23:00:00

STW11NK100Z規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Drain Current –ID= 8.3A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= 1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 1.1Ω(typ)@VGS= 10V

·Fast-recovery body diode

APPLICATIONS

·Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    STW11NK100Z

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
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NA/
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 詢價(jià)

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