首頁>STW12NM60N>詳情

STW12NM60N_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_MOSFET Ultra Fast Recovery Diode得捷芯城科技

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    STW12NM60N

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST(意法)

  • 庫存數(shù)量：

    8735

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA/

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-8 11:13:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：STW12NM60N品牌：ST(意法)

原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!

  • 芯片型號(hào)：

    STW12NM60N

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    18 頁

  • 文件大小：

    591.63 kb

  • 資料說明：

    N-channel 600V - 0.35廓 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    STW12NM60N

  • 功能描述：

    MOSFET Ultra Fast Recovery Diode

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市得捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生

  • 手機(jī)：

    19076157484

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82539558

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號(hào)世貿(mào)廣場A座5層

相近型號(hào)