首頁>STW12NM60N>詳情

STW12NM60N_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_MOSFET Ultra Fast Recovery Diode創(chuàng)新跡商城

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    STW12NM60N

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST/意法半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    28000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N

  • 生產(chǎn)批號：

    22+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-23 9:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：STW12NM60N品牌：ST/意法半導(dǎo)體

原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十

  • 芯片型號：

    STW12NM60N

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    18 頁

  • 文件大小：

    591.63 kb

  • 資料說明：

    N-channel 600V - 0.35廓 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    STW12NM60N

  • 功能描述：

    MOSFET Ultra Fast Recovery Diode

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機：

    13430590551

  • 詢價：
  • 電話：

    13430590551

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

相近型號