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STW20NM60中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STW20NM60
廠商型號

STW20NM60

功能描述

N-channel 600V - 0.25廓 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh??Power MOSFET

文件大小

440.68 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-28 19:37:00

STW20NM60規(guī)格書詳情

Features

1. High dv/dt and avalanche capabilities

2. 100 avalanche tested

3. Low input capacitance and gate charge

4. Low gate input resistance

Applications

1. Switching applications

Description

The MDmesh? is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple

drain process with the company’s PowerMESH horizontal layout. The resulting product has an

outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The

adoption of the company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance

that is significantly better than that of similar competition’s products.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STW20NM60

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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